транзисторный ключ с общим эмиттером схема

 

 

 

 

Аналогично работает схема транзисторного ключа. При разомкнутых контактах кнопки SB1 потенциалы на выводах резисторов R1 и R2 практически равны потенциалу эмиттера, на эмиттерном переходе смещение отсутствует, коллекторный переход закрыт Насыщенный транзисторный ключ с ОЭ (а), его эквивалентная схема в режиме насыщения (б) и выходные характеристики транзистора (в).При этом напряжение на коллекторе и, стало быть, на базах и фиксируется током эмиттера . Чаще всего используются ключи, собранные по схеме с общим эмиттером, как показано на рис.3. В ключевом режиме биполярный транзистор работает в режиме насыщения (замкнутый ключ) или режиме отсечки (разомкнутый ключ). в)Схемы транзисторных ключей. Рис. 1.1.б: Ключ ОЭ.не учитывается эффект модуляции ширины базы при изменении напряжения на переходе база-коллектор(эффективность эмиттера не зависит от тока) Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора.— с общим коллектором (ОК) — эмиттерный повторитель (ЭП) — с общим эмиттером (ОЭ) Основное назначение транзисторных ключей состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки с помощью управляющих входных сигналов.Рис.1.3. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером (ОЭ).

Транзисторные ключи. Общие сведения.Характер работы ключа зависит от схемы включения транзистора. Наиболее распространенная схема это схема включения транзистора с общим эмиттером. Электронные ключи на биполярных транзисторах. Чаще всего используются ключи, собранные по схеме с общим эмиттером, как показано на рис. 3.Суммарное напряжение на эмиттерном переходе определяется выражением стке «коллектор-эмиттер» транзистора, ток в цепи коллектора ограничивает-. ся практически только сопротивлением Rк, поэтому этот ток называют током насыщения.На рис.15.3а показана схема транзисторного ключа с диодом Шоттки, а на рис.15.3б вольтамперные Транзисторный ключ является основным элементом устройств информационной электроники и многих устройств силовой электроники. На рис. 9.11 а представлена схема простейшего ключа на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, на рис 9.11 б 1) Коллектор-эмиттер 45 В.

Общая рассеиваемая мощность - 500 mw.Как видите, принцип работы и схема устройства транзисторных ключей не является чем-то сложным, поэтому разобраться в этом дело посильное. Re: ньб вопрос:транзисторные ключи. Ключевая схема включения транзистора по-другому называется схемой с общим эмиттером. Т.е. надо эмиттер сажать на корпус, а нагрузку включать между коллектором и плюсом. Насыщенный транзисторный ключ с ОЭ (а), его эквивалентная схема в режиме насыщения (б) и выходные характеристики транзистора (в).При этом напряжение на коллекторе и, стало быть, на базах и фиксируется током эмиттера . Транзисторный ключ.

В схеме должны выполняться следующие условияАналоговые коммутаторы. Усиление сигналов с помощью транзистора. Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Транзистор в ключевом режиме это один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером.Осталось выбрать из ряда резисторов конкретное значение и дело в шляпе. Теперь вы наверное думаете, что транзисторный ключ будет работать так как нужно? В предыдущем посте был рассмотрен транзистор в качестве электронного ключа.В львиной доле транзисторных схем транзистор используется в качестве усилительного прибора.Каскад с общим эмиттером обеспечивает усиление, как по напряжению, так и по току. Ключ, собранный на транзисторе, называется транзисторным ключом.Так как в схеме появился еще один резистор, то базовый резистор назовем RБ , а резистор между базой и эмиттером не будем придумывать и назовем RБЭ. Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники.Изобразим схему простейшего ключа на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, и соответствующую временную Транзисторный ключ схема и работа.Транзисторные ключи (ТК): Общие принципы работы.Как только на базу транзистора поступает управляющий электрический сигнал, он открывается, начинает течь ток коллектор- эмиттер и происходит падение напряжения на Биполярные транзисторы, коэффициент усиления, схема с общим эмиттером, схема с общим коллектором, схема с общей базой.То есть, каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ, усиливает входной сигнал в 150 раз. Для транзисторного каскада с ОЭ справедливы Обязательное условие тонкий слой базы для возможности возникновения транзисторного эффекта.Следовательно, существуют 3 схемы подключения биполярного транзистора: ОЭ с общим эмиттером, ОБ общей базой, ОК общим коллектором.Схема включения с общим эмиттером (ОЭ)- усилительные схемы - генераторы сигналов - электронные ключи. Хотя схема транзисторного ключа — это в принципе схема транзисторного усилителя с общим эмиттером, по функциям и режимам эта схема отличается от типичного усилительного каскада. В ключевом режиме используются схемы ОЭ, ОБ, ОК, но чаще всего схема ОЭ.Для маломощных транзисторов S 5 20, для мощных транзисторных ключей b 2 - 3.Если между базой и эмиттером транзистора включено сопротивление Rб, то ток Iк0 создает наТаким образом, общее время включение будет равно: Например, для транзистора КТ3102 Хотя схема транзисторного ключа - это в принципе схема транзисторного усилителя с общим эмиттером, по функциям и режимам эта схема отличается от типичного усилительного каскада. Наибольшее распространение получил транзисторный ключ по схеме с общим эмиттером. Его принципиальная схема приведена на рис. 1. Транзисторный ключ может находиться в одном из двух состояний: ВЫКЛЮЧЕНО, когда транзистор закрыт и ключ разомкнут симистора Электронные ключи Диодные электронные ключи Транзисторные ключи Силовые (мощные) полупроводниковые приборы Силовые полевые транзисторыМалое значение тока базы во входном контуре обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером. Постоянная времени транзистора в схеме с общим эмиттером равна.Следовательно, время выключения ключа также уменьшается. Схема транзисторного ключа с форсирующим конденсатором легко реализуема на дискретных элементах. Возвращаемся обратно к работе биполярного транзистора ). С диодом база- эмиттер разобрались, теперь диод коллектор-база.Схема ключа на биполярном транзисторе. Вот такая вот несложная, но безумно полезная схема! При создании транзисторных ключей используются биполярные или полевые транзисторы. Процессы в ключе на биполярном транзисторе.Наибольшее распространение получил транзисторный ключ по схеме с общим эмиттером. Но ведь повсюду в ходу эти термины: «с общим эмиттером», «с общим коллектором», а вы как-то их избегаете Я бы все же от них предостерег.нс. . Время рассасывания. Известно, что насыщенный транзисторный ключ выходит из этого состояния лишь с определенной В быстродействующих транзисторных ключах транзисторы удерживают от насыщения. Такие транзисторные ключи называют ненасыщенными. Выше рассмотрена схема транзисторного ключа с общим эмиттером управляемый двухполярными импульсами. Схема включения транзистора с общим эмиттером представлена на рис. 2. Транзистор КТ602 обратной проводимости (n-p-n-типа) открывается при подаче на базу положительного потенциала относительно эмиттера.Рис. 2. Транзисторный ключ. Расчёт транзисторного каскада. Схема включения транзистора с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой.Схема включения транзистора с общим эмиттером предназначена для усиления амплитуды входного сигнала по напряжению и по току. Простыми схемами на транзисторных ключах можно производить коммутацию токов в интервале 0,15А вот у транзистора сопротивление канала "эмиттер - коллектор" может меняться в больших пределах. При анализе транзисторных ключей рассматривают два режима — статический иОчевидно, что оно зависит от общей длительности переходного процесса, определяемойКлючевой каскад на рис. 8.10, а представляет собой каскад по схеме с ОЭ, на входе которогогде Ub.(0,70,8) В — напряжение база-эмиттер открытого транзистора (здесь и далее имеются в Режимы насыщения и отсечки используются при построении транзисторных ключей. 4) Если на эмиттерном переходе обратное смещение, а на коллекторном — прямое, то транзистор попадает в инверсный активный режим.1) Схема с общим эмиттером. Транзисторный ключ в общем случае состоит из транзистора, базового сопротивленияНаибольшее распространение получила схема с ОЭ, представленная на рис. 9.2.порогового значения (момент времени t3), резко возрастают инжекция носителей из эмиттера в базу и При анализе транзисторных ключей рассматривают два режима — статический иОчевидно, что оно зависит от общей длительности переходного процесса, определяемойКлючевой каскад на рис. 8.10, а представляет собой каскад по схеме с ОЭ, на входе которогогде Ub.(0,70,8) В — напряжение база-эмиттер открытого транзистора (здесь и далее имеются в Схемы подключения двухтранзисторных ключей на биполярных транзисторах (начало): а) транзистор VT1 служит эмиттерным повторителем.Транзистор VT1 служит эмиттерным повторителем, а транзистор VT2 — усилителем с общей базой. Схема включения с общим эмиттером. Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятковТакое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное 2. Ключи на биполярных транзисторах. 2.1. Общие сведения. Транзисторные ключи — это устройства, которые коммутируютб) Как в режиме глубокой отсечки, так и на границе отсечки , ток эмиттера . Эквивалентную схему ключа в режиме отсечки можно представить в виде Рассмотрим схему включения транзистора с общим эмиттером. — сам термин названия данного включение уже говорит о специфике данной схемы. Общий эмиттер а в крации это ОЭ, подразумевает тот факт, что у входа данной схемы и выхода общий эмиттер. Существует множество транзисторных схем (достаточно вспомнить количество хотя бы бытовой аппаратуры) для усиления иВсего таких схем применяется три: схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей базой (ОБ). Процессы в базе для схемы включения с общим эмиттером.Сумму времен рассасывания и спада называют временем выключения транзисторного ключа (транзистора) Транзисторный ключ по своей схеме подобен транзисторному усилителю с ОЭ.На эквивалентных схемах насыщенный транзистор представляют в виде точки, общей для электродов эмиттера, коллектора и базы. Лекция 9. Транзисторные ключи. Отличительной особенностью импульсных схем является широкое применение электронных ключей. ключ с общим эмиттером Его можно определить по формуле, подобной формуле (4) схемы с общим эмиттером.При таком сопротивлении, расчитывая транзисторный каскад, следует учитывать влияние сопротивления цепи смещения, так как по нему тоже протекает входной ток. В большинстве случаев используют транзисторный ключ с общим эмиттером (ОЭ), в котором нагрузочный резистор включен в цепь коллектора (рис. 18, а)Схема транзисторного ключа (а) и выходная ВАХ транзистора для схемы включения с общим эмиттером (б). Транзисторный ключ. В схеме должны выполняться следующие условия: и.4.2.3. схема с общим эмиттером и отрицательной обратной связью по току. 4.2.4. отрицательная обратная связь по напряжению. Схема включения транзистора с общим эмиттером представлена на рис. 2. Транзистор КТ602 обратной проводимости (n-p-n-типа) открывается при подаче на базу положительного потенциала относительно эмиттера.Рис. 2. Транзисторный ключ.

Новое на сайте:



2007 - 2018 Все права защищены