схема ячейки памяти на транзисторах

 

 

 

 

Возможна, например, следующая архитектура памяти ЭВМ: оперативная память на МДП-транзисторах емкостью 4К буферная память на ПЗС емкостью до 64 КРис. 2. Схема диодного постоянного ЗУ. Рис. 3. Ячейки ПЗУ на биполярных (а) и МДП- транзисторах (б). Всем привет, вот решил попробывать собрать ячейку памяти на транзисторе, понял что нужно использовать туннельный эффект. Туннельный эффект — явление, возможное только в квантовой механике, когда Общий принцип работы ячейки флэш-памяти. Рассмотрим простейшую ячейку флэш- памяти на одном n-p-n транзисторе.Хотя размер MLC-ячейки такой же, как и у однобитной, дополнительно тратится место на специфические схемы чтения/записи многоуровневых ячеек. элементами памяти в большинстве случаев являются бистабильные ячейки, выполненные на биполярных или МОП- транзисторах.Принципиальные электрические схемы элементов памяти на МОП- (а) и БиКМОП- транзисторах (б). Ячейки статической памяти реализуются на триггерах - элементах с двумя устойчивымиЭлементом памяти в статических ОЗУ является триггер, выполненный на транзисторах.Для управления интегральной схемой (ИС) предназначены адресные сигналы A0АК Схема динамической ячейки памяти на 8 транзисторах показана на рисунке 5.7. Она отличается от аналогичной ячейки статического ОЗУ только тем, что затворы транзисторов Т3 и Т6 соединены с генератором импульсов регенерации, а не с источником питания. Рассмотренный нами транзистор с плавающим затвором может выступать в роли элементарной ячейки флэш-памяти.Вследствие наличия в схеме высокого напряжения при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков — необходимо располагать на В ЕР 0317443 А1 показана ячейка памяти на двух транзисторах, которая включает в себя избирательный транзистор и транзистор с плавающим затвором.

Для управления ячейками памяти Z1, Z2, Z3 и Z4 служит схема управления, которая имеет переходный транзистор ТТ1 Вместе с -канальным транзистором -канальные транзисторы ячеек памяти, расположенных в одном столбце, образуют КМДП логическую схему NOR (вспомните рис. 5.7 из "Наноэлектронная элементная база информатики на кремниевых КМДП транзисторах " ). Количество транзисторов (6 или 8) на ячейку зависит от логической организации памяти микропроцессорной системы.Рисунок 9. Конструкция ячейки ДОЗУ (см. рис.

8 слева). Снизу представлен разрез схемы по линии А-А. Рис. 3. Устройство транзистора с плавающим затвором и чтение содержимого ячейки памяти.Вследствие наличия в схеме высокого напряжения при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков — необходимо располагать на Однобитовая ячейка памяти содержит конденсатор и транзистор. Конденсатор заряжается до более высокого или низкого напряжения (логические 1 или 0). Транзистор выполняет функцию ключа, подключающего конденсатор к схеме управления, расположенного на том же чипе. Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя транзисторамиДанная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Схема ячейки памяти ЯП динамического ЗУ на одном МОПтранзисторе с индуцируемым p-каналом представлена на рис. 6.6 (выделена пунктирной линией).При этом на транзистор VT1 подается напряжение Uзи.VT1<0, что приводит к его открыванию. И, Н, Кабанов (71) Заявитель (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ. Изобретение относятся к области автоматнкн н вычислительнойНа чертеже приведена прннцнпиальная схема ячейки памятн. Она содержит первый 1, второй 2 н третий 3 транзисторы. Особенность схемы состоит в том, что использованы двухэмиттерные транзисторы.Поэтому при построении ячейки памяти необходимо использовать структуры, которые наилучшим образом подходят к используемым сериям логических элементов. При этом напряжение сток-исток на транзисторе VT5 равно нулю, и транзистор VT5 закрыт.Схема ячейки памяти динамического ЗУ на одном МОП транзисторе с индуцируемым -каналом представлена на рисунок 19.4 (выделена пунктирной линией). Триггерная схема этой памяти позволяет удерживать каждый бит сохраненной в ней информации. Триггер каждой ячейки памяти состоит из четырех или шести транзисторов и содержит тончайшие проводки. Ядро этой ячейки формируется четырьмя транзисторами от M1 до M4, которыеЧтобы выбрать конкретную ячейку памяти на чипе RAM, передается физический адрес вРисунок 2.7: Схема динамической RAM. На рисунке 2.7 изображена упрощенная схема строения DRAM.

Плотность упаковки определяется площадью запоминающего элемента и зависит от числа транзисторов в схеме элемента и используемой технологии.Для выбора одной из ячеек памяти на семиразрядный адресный регистр подаётся в мультиплексированном режиме Масочные ПЗУ изображаются на принципиальных схемах как показано на рисунке 5. Адреса ячеек памяти в этой микросхемеРисунок 7. Запоминающая ячейка ПЗУ с ультрафиолетовым и электрическим стиранием. Ячейка представляет собой МОП транзистор, в котором затвор Рисунок 3.3.2- Схема ячейки памяти на КМОП- транзисторах. Для запоминания одного бита информации в приведенной схеме используется триггер, который образуют транзисторы T3, Т5 и T4, Т6. транзисторной ячейки оперативной памяти (6Т) и схемы сравнения на четырех транзисторах. Схема сравнения представляет собой две пары последовательно соединенных транзисторов. Однако, такое количество транзисторов в расчете на одну ячейку памяти занимало довольно большой физический объем, т.еРис. 1 - Принципиальная схема ячейки ОЗУ статического типа. В микросхемах ОЗУ присутствуют две операции: операция записи и операция чтения. При считывании информация из выбранной ячейки памяти поступает наУВВ и через него—на выходы.Объединяет эти технологии то, что основным активным компонентом схем является биполярный транзистор и, следовательно, в основе лежит технология изготовления Ниже в качестве примера приведена принципиальная схема простейшего инвертора, сконструированного из двух последовательноРис.3. Устройство 6-транзистроной одно-портовой ячейки SRAM-памяти. Причем, шесть транзисторов на ячейку - это еще не предел! Ячейка памяти состоит из конденсатора и обычного полевого транзистора.Возможно есть смысл попытаться своровать интересующую тебя маленькую часть схемы, которая у тебя хуже чем у конкурента. В статической памяти ячейки построены на различных вариантах триггеров — на транзисторных схемах с двумя устойчивыми состояниями.Рассмотренный нами транзистор с плавающим затвором может выступать в роли элементарной ячейки флэш-памяти. На рисунке 4 приведена упрощенная схема одного из способов организации ячейки статической памяти. Как видите, она состоит из одного триггера и трех транзисторов, выполняющих роль ключей, открывающих и закрывающих доступ к ячейке памяти. Схема так называемой ТТЛ ячейки для памяти с организацией 2Dимеет следующий вид. Она представляет собой триггер на двухэмиттерных транзисторах. Сигнал чтения RD позволяет выдать содержимое внутренней ячейки памяти на информационные выходы микросхемы. В приведенной на рисунке 1 схеме невозможно одновременно производить операцию записи и чтения, но обычно это и не нужно. Ячейки памяти выдерживают не менее 100000 циклов записи/стирания. Изобразим упрощенную структуру ячейки флэш-памяти (рис. 1.87).Устройство биполярных транзисторов и основные физические процессы. Схемы включения транзистора и их характеристики. Открывшийся транзистор закорачивает резистор R0 и перемычка в эмиттерной цепи транзистора необходимой ячейки памяти перегорает (для пережигания перемычки на время программирования увеличивают питающее напряжение). На рисунке 1.68 приведена схема Схема ячейки памяти (ЯП) динамического ЗУ на одном МОПтранзисторе с индуцируемым p-каналом представлена на рис. 12.5 (выделена пунктирной линией).Их использование позволяет значительно упростить построение памяти на динамических ОЗУ. А очень просто — полевой транзистор с плавающим затвором является минимальной ячейкой памяти, способной сохранить один бит информации.Как видно из схемы, одна линия битов соответствует нескольким ячейкам. И важной особенностью является следующее: если хотя Рис. 1. Схема ячейки памяти DICE Каждая из двух групп ячейки памяти DICE содер-жит два NМОП и два PМОП транзистора триггера ячейки, причем в одном логическом состоянии ячейки заперта одна пара N и PМОП транзисторов в каждой группе Статическая память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью 2. Устройство ячейки статической памяти.На рисунке представлена простейшая схема реализации инвертера, состоящая из одного транзистора. Давайте рассмотрим, как он работает. Примером динамической памяти является МОП-ячейка с запоминанием информации на конденсаторах, которая требуетВ качестве примера рассмотрим статическую память, выполненную на рМОП- транзисторах. Фрагмент схемы ЗЭ для ЗУ с пословной выборкой Ячейка памяти состоит из одного полевого транзистора и одного конденсатора.Транзистор выполняет роль электрического ключа, который либо удерживает заряд на конденсаторе, либо открывает для считывания. Ячейка памяти напоминает дырявое ведро. А вот память последовательного доступа (SAM) разрешает последовательный доступ к ячейкам.В конденсаторе имеется 1 бит данных: 0 или 1. Транзистор является переключателем, при помощи него схема чипа считывает или меняет При этом напряжение сток-исток на транзисторе VT5 равно нулю, и транзистор VT5 закрыт.Схема ячейки памяти динамического ЗУ на одном МОП транзисторе с индуцируемым -каналом представлена на рисунок 19.4 (выделена пунктирной линией). В динамическом ОЗУ (Dynamic RAM, DRAM) двоичное число хранится временно в виде заряда на затворе МОП- транзистора, так что реальная схема оказывается в результате очень компактной. Такая ячейка памяти представлена на рис. 14.10 Tv Т2 и Т3 являются На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ.Такие ячейки памяти являются энергосберегающими, так как информация не стирается при отключении питания. Точками выделен один (j-ый) из восьми элементов i-ой ячейки памяти. Схема И с номером i (r 2k c) являетсяЭто свойство обеспечивается применением ЭП на МОП транзисторах с "плавающим затвором". Толщина изоляции "плавающего затвора" порядка 200 ангстрем. Элементы памяти ПЗУ (РПЗУ). Основное требование к такой ячейке сохранение информации при отключенном питании. Рассмотрим схему однотранзисторной ЗЯ для биполярного ПЗУ. В эмиттерной цепи транзистора предусмотрена плавкая перемычка (П) Триггерная схема этой памяти позволяет удерживать каждый бит сохраненной в ней информации. Триггер каждой ячейки памяти состоит из четырех или шести транзисторов и содержит тончайшие проводки. Микросхемы ОЗУ построена на биполярных и МДП транзисторах. Элементом памяти в первых из них служит простейший триггер, во вторыхФункциональная схема такого ОЗУ емкостью 256 бит приведена на рисунке 2. Для выбора 256 ячеек необходимы восемь адресных входов. Точками выделен один (j-ый) из восьми элементов i-ой ячейки памяти. Схема И с номером i (r 2k c) являетсяЭто свойство обеспечивается применением ЭП на МОП транзисторах с "плавающим затвором". Толщина изоляции "плавающего затвора" порядка 200 ангстрем. Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не даёт усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ.В отличие от обычного МОП (другое название мдп) (металл — оксид — полупроводник )- транзистора в ячейке памяти имеется еще один

Новое на сайте:



2007 - 2018 Все права защищены